LAM RESEARCH通過革命性的新蝕刻技術推動下一代3D存儲器制造

近日，Lam Research科林研究公司宣布推出Vantex ，這是專為Sense.i （當今最智能的蝕刻平臺）設計的最新半導體蝕刻技術。建立在蝕刻領導者的傳統基礎之上，這一開創性設計為當前和未來的NAND和DRAM存儲設備提供了更高的性能和更大的可擴展性。

芯片制造商構建用于智能手機，圖形卡和固態存儲驅動器等應用程序的3D存儲設備，不斷努力通過垂直增加設備尺寸和橫向減小關鍵尺寸（CD）來降低節點之間的每比特成本。這將3D NAND和DRAM中的蝕刻縱橫比提高到了新的水平。

Vantex的新腔室設計能夠使用比以前可用的射頻（RF）功率更高的功率，以便以高通量蝕刻高縱橫比的特征并實現成本縮減。功率的增加與RF脈沖技術的發展相結合，可以提供提高設備性能所需的嚴格CD控制。

3D NAND器件路線圖要求進行蝕刻，以在每一代產品上實現更大的深度，從而推動了對改善蝕刻輪廓一致性的需求。Vantex技術控制蝕刻的垂直角度，以滿足這些3D器件功能更嚴格的放置要求，并在整個300mm晶圓上實現高產量。

“憑借在高深寬比蝕刻方面十多年的行業領導地位，我們的獨特學習使Vantex腔室設計從頭開始，為以后的許多節點提供可擴展性和創新性，”  瓦希德·瓦赫迪（Vahid Vahedi） ，Etch產品小組高級副總裁兼總經理 林研究。“ Vantex重新定義了性能和生產率基準，推動我們的客戶利用這一開創性的蝕刻技術。”

Lam的Sense.i蝕刻平臺，設備智能®包括從上百個傳感器監控系統和工藝性能的數據收集能力。Vantex腔室利用Sense.i系統中的高帶寬通信，比每個市場上的其他工具收集每個晶片更多的數據-能夠更有效地利用數據，從而改善晶片上和晶片到晶片之間的關系。晶圓性能。

VANTEX上Sense.i平臺繼續船Lam的領先的內存客戶資質，具有重復訂單大批量生產坡道在2021年。